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GaN功率器件


MB51T008A                                                                                點此索要資料和樣品>>
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 150V
柵極閾值電壓 VGS(th) 1.8V
漏源通態電阻 RDS(on) 13mΩ
總柵極電荷 Qg 16nC
封裝 WLCSP


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